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型号 SI7102DN-T1-GE3
厂商 Vishay Siliconix
描述 MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8
SI7102DN-T1-GE3 PDF
代理商 SI7102DN-T1-GE3
产品目录绘图 DN-T1-E3 Series 1212-8
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 35A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 3.8 毫欧 @ 15A，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 110nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3720pF @ 6V
功率 - 最大 52W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 PowerPAK? 1212-8
供应商设备封装 PowerPAK? 1212-8
包装 带卷 (TR)
产品目录页面 1660 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SI7102DN-T1-GE3TR
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